电子行业半导体设备系列：刻蚀主赛道，有望加速导入国产设备-20210706-国盛证券-22页
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2021-07-11 17:40:27
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2021年07月06日P.4请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明图表2：刻蚀工艺分类资料来源：维基百科、国盛证券研究所图表3：不同刻蚀设备主要技术指标资料来源：维基百科、国盛证券研究所应用最广泛的刻蚀设备是应用最广泛的刻蚀设备是ICP与与CCP，技术发展，技术发展方向方向是原子层刻蚀（是原子层刻蚀（ALE）。）。电容性等离子体刻蚀电容性等离子体刻蚀CCP：：能量高、精度低，主要用于介质材料刻蚀（形成上层线路）——诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等，以及3D闪存芯片工艺（氮化硅/氧化硅）的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀电感性等离子体刻蚀ICP：：能量低、精度高，主要用于硅刻蚀和金属刻蚀（形成底层器件）——硅浅槽隔离（STI）、锗（Ge）、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅（Strained-Si）、金属导线、金属焊垫（Pad）、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。ALE：：技术发展方向，能精确刻蚀到原子层（约0.4nm），具有超高刻蚀选择率。应用广泛。
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