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电子行业半导体设备系列:刻蚀主赛道,有望加速导入国产设备-20210706-国盛证券-22页

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2021年07月06日P.4请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明图表2:刻蚀工艺分类资料来源:维基百科、国盛证券研究所图表3:不同刻蚀设备主要技术指标资料来源:维基百科、国盛证券研究所应用最广泛的刻蚀设备是应用最广泛的刻蚀设备是ICP与与CCP,技术发展,技术发展方向方向是原子层刻蚀(是原子层刻蚀(ALE)。)。电容性等离子体刻蚀电容性等离子体刻蚀CCP::能量高、精度低,主要用于介质材料刻蚀(形成上层线路)——诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等,以及3D闪存芯片工艺(氮化硅/氧化硅)的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀电感性等离子体刻蚀ICP::能量低、精度高,主要用于硅刻蚀和金属刻蚀(形成底层器件)——硅浅槽隔离(STI)、锗(Ge)、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅(Strained-Si)、金属导线、金属焊垫(Pad)、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。ALE::技术发展方向,能精确刻蚀到原子层(约0.4nm),具有超高刻蚀选择率。应用广泛。

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